量子隧穿和场致电子发射理论
量子隧穿效应是量子力学的重要研究内容，在凝聚态物理、核物理、高能物理、表面科学和真空纳米设备中均有着广泛的应用。随着纳米技术的迅速发展，制备了许多纳米材料和纳米结构，如碳纳米管、石墨烯、半导体纳米线以及一些纳米复合材料。这些纳米技术的进步不仅有利于纳米器件的研制，更是纳米材料和纳米结构的量子隧穿效应和场致电子发射理论研究的基础。
本书介绍了量子隧穿效应和场致电子发射理论中的基本方法及其在纳米尺度系统中的最新研究进展。
全书共有21章，第1章为引言，剩下20章分为2个部分。第1部分 量子隧穿理论，含第2-9章：2.量子物理和量子效应；3.量子散射和隧穿基本物理现象；4.波动方程匹配方法；5.WKB方法；6.Lippmann-Schwinger公式；7.非均衡格林方程方法；8.旋转隧穿；9.量子隧穿效应的应用。第2部分 场致电子发射理论，含第10-21章：10.场致电子发散基本概念；11.理论模型和方法；12.Fowler-Nordheim理论；13.半导体的场致发散理论；14.表面效应和共振；15.热离子发射理论；16.动态场发射理论；17.旋转极化场发散理论；18.纳米材料场致电子发散理论；19.场发散的计算机模拟；20.场发散的经验理论；21.场致电子发散的基本理论。
本书适合具有一定量子物理和凝聚态物理基础的相关专业技术人员阅读。
褚鹏飞，博士生
（国家纳米科学中心）